241 阴差阳错(1/3)
回到216，许秋前往手套箱配制了两个溶液，基于他的三代8系列以及学妹的B4T系列，即两个最高效率的3DPDI体系。配制时，溶液浓度提高约4，他打算采用今天刚制定的溶剂添加剂引入的新策略。
随后，他利用学妹周日留下来的氧化锌预聚体溶液，以及清洗干净的ITO基片，旋涂了20片氧化锌基片，置于200摄氏度加热台上高温退火。
下午，韩嘉莹和陈婉清乘坐校车离开，前往张疆做合成。学妹的主要工作是大批量合成她的第二代B3T/B4T材料，至少要拿到200毫克以上的最终产物；学姐新买的1，3茚二酮（A单元）还在路上，她打算先把D单元的醛基化反应准备起来，等A单元到了就可以直接进行合成。
一点二十多分，许秋进入实验室，准备做一批器件。
孙沃似乎也有旋涂的想法，不过他看到许秋后，主动将手套箱避让出来。
许秋朝孙沃友善的点点头，将退火完成的氧化锌基片传入手套箱，随后在两瓶溶液中用新策略小心添加DIO，接着轻轻晃动瓶子一分钟，让DIO均匀的分散在溶液中，最后清洗手套箱氛围5分钟，这才再次进入手套箱，开始旋涂。
这次，他直接采用模拟实验室中摸索得到的最佳条件，作为自己的实验条件。
在旋涂的过程中，许秋非常认真专注，试图抓住上次实验时一闪而逝的灵感。
然而，20片器件旋涂完毕，并没有之前灵机一动的感觉出现。
许秋只好无奈的耸耸肩，把这些器件传送到蒸镀舱内，开始蒸镀。
在等待真空度下降的过程，他也没闲着，把学妹带回来的20多个产物和中间产物的样品，各取1毫克左右，装入核磁管，加入氘代氯仿溶解，去老化楼送了一次样，测试核磁共振氢/碳谱。
从老化楼赶回来，他又马不停蹄的继续蒸镀、测试。
最终，这批器件效率最高值达到了7.35，学妹的体系也达到了6.50。
看到这个结果，许秋舒了一口气，不算出人意料，他也没指望一次性达到模拟实验室中的最高值7.50，只要能接近这个数值就好。
毕竟，这次在模拟实验室中得到的最高值和以往不同，以往可能是几次或者十几次的实验结果中的最高值，而这次经过反复优化后，是取近百次的实验结果。
看上去是7.50，实际上大概是7.30±0.20。
这次20个器件中只有10个是许秋自己的，样本数量不算多，结果只要落在7.30附近就算正常。
接下来的两天，许秋又连续做了两批器件，同时他还把那20多个产物和中间产物，进行元素分析的送样。
这些涉及到分子结构的基础表征测试，全部中间产物都要进行的；
诸如光吸收、能级测试、显微形貌等针对有效层或者器件的表征手段，就不需要面面俱到了，只要考虑最终产物即可。
一连三天，做了三批器件，许秋终于在现实中重复出了7.48和6.60的效率。
他在做实验的时候，也一直在思考，有没有什么地方可以完善的更好，尤其是一些现实中难以做到的，而利用模拟实验室可以做到的优化手段。
还真被他发现了一条路子——可以采用模拟实验系统II，对电池器件的传输层进行优化。
在现实中，针对传输层，通常的做法是在实验启动前，做一波探索实验，确认一组实验条件，固定下来长期使用。
一方面，现实中想要优化传输层，比如更改蒸镀三氧化钼的膜厚，每变换一次条件就要重新蒸镀一次器件，再加上实验数据是会波动的，必须大量的数据才能确认最优条件，实验的时间成本非常高，。
另一方面，传输层对于器件性能的影响不大，确立了一组通用条件后，可能无法在所有体系中发挥100的效果，但在大多数体系下都能够稳定发挥95以上的效果，这便足够了，不需要每换一个体系就重新摸索一遍。
但许秋有模拟实验室II，可以完美解决这个问题，数十台蒸镀机器同时工作，完全可以一波就把条件给摸索清楚，而且还不会花费太多的系统积分。
之前没想到这一点，主要原因是开启模拟实验室II之后，有很长一段时间许秋都没有做器件优化工作，此外也是受了思维定势的影响。
现在思路打开了，许秋瞬间发散思维，想到了很多点子：
比如，除了三氧化钼的膜厚优化外，氧化锌的制备条件也可以摸索一番，包括膜厚、退火温度、退火时间以及其他制备工艺。
再比如，可以试一试正结构的器件，虽然大多数情况倒结构的性能更佳，而且许秋经过长期的实验也已经习惯采用倒结构器件，制备起来更加得心应手一些，但不排除有例外出现的可能性。
此外，还有其他科研工作者开发出的一些新型传输层材料，比如PFN、PDIN，已经商用化了，而且也不贵，可以找深城那家光电材料公司购买一些。
金属电极的膜厚倒是不用优化，因为只要膜厚超过一定阈值，确保器件不发生断路，具体厚度并不重要，哪怕蒸镀到1000纳米厚，和100纳米厚也没什么差别，反而可能因为电阻增大了10倍，导致效率降低了0.01也不是没可能。
随后，他利用学妹周日留下来的氧化锌预聚体溶液，以及清洗干净的ITO基片，旋涂了20片氧化锌基片，置于200摄氏度加热台上高温退火。
下午，韩嘉莹和陈婉清乘坐校车离开，前往张疆做合成。学妹的主要工作是大批量合成她的第二代B3T/B4T材料，至少要拿到200毫克以上的最终产物；学姐新买的1，3茚二酮（A单元）还在路上，她打算先把D单元的醛基化反应准备起来，等A单元到了就可以直接进行合成。
一点二十多分，许秋进入实验室，准备做一批器件。
孙沃似乎也有旋涂的想法，不过他看到许秋后，主动将手套箱避让出来。
许秋朝孙沃友善的点点头，将退火完成的氧化锌基片传入手套箱，随后在两瓶溶液中用新策略小心添加DIO，接着轻轻晃动瓶子一分钟，让DIO均匀的分散在溶液中，最后清洗手套箱氛围5分钟，这才再次进入手套箱，开始旋涂。
这次，他直接采用模拟实验室中摸索得到的最佳条件，作为自己的实验条件。
在旋涂的过程中，许秋非常认真专注，试图抓住上次实验时一闪而逝的灵感。
然而，20片器件旋涂完毕，并没有之前灵机一动的感觉出现。
许秋只好无奈的耸耸肩，把这些器件传送到蒸镀舱内，开始蒸镀。
在等待真空度下降的过程，他也没闲着，把学妹带回来的20多个产物和中间产物的样品，各取1毫克左右，装入核磁管，加入氘代氯仿溶解，去老化楼送了一次样，测试核磁共振氢/碳谱。
从老化楼赶回来，他又马不停蹄的继续蒸镀、测试。
最终，这批器件效率最高值达到了7.35，学妹的体系也达到了6.50。
看到这个结果，许秋舒了一口气，不算出人意料，他也没指望一次性达到模拟实验室中的最高值7.50，只要能接近这个数值就好。
毕竟，这次在模拟实验室中得到的最高值和以往不同，以往可能是几次或者十几次的实验结果中的最高值，而这次经过反复优化后，是取近百次的实验结果。
看上去是7.50，实际上大概是7.30±0.20。
这次20个器件中只有10个是许秋自己的，样本数量不算多，结果只要落在7.30附近就算正常。
接下来的两天，许秋又连续做了两批器件，同时他还把那20多个产物和中间产物，进行元素分析的送样。
这些涉及到分子结构的基础表征测试，全部中间产物都要进行的；
诸如光吸收、能级测试、显微形貌等针对有效层或者器件的表征手段，就不需要面面俱到了，只要考虑最终产物即可。
一连三天，做了三批器件，许秋终于在现实中重复出了7.48和6.60的效率。
他在做实验的时候，也一直在思考，有没有什么地方可以完善的更好，尤其是一些现实中难以做到的，而利用模拟实验室可以做到的优化手段。
还真被他发现了一条路子——可以采用模拟实验系统II，对电池器件的传输层进行优化。
在现实中，针对传输层，通常的做法是在实验启动前，做一波探索实验，确认一组实验条件，固定下来长期使用。
一方面，现实中想要优化传输层，比如更改蒸镀三氧化钼的膜厚，每变换一次条件就要重新蒸镀一次器件，再加上实验数据是会波动的，必须大量的数据才能确认最优条件，实验的时间成本非常高，。
另一方面，传输层对于器件性能的影响不大，确立了一组通用条件后，可能无法在所有体系中发挥100的效果，但在大多数体系下都能够稳定发挥95以上的效果，这便足够了，不需要每换一个体系就重新摸索一遍。
但许秋有模拟实验室II，可以完美解决这个问题，数十台蒸镀机器同时工作，完全可以一波就把条件给摸索清楚，而且还不会花费太多的系统积分。
之前没想到这一点，主要原因是开启模拟实验室II之后，有很长一段时间许秋都没有做器件优化工作，此外也是受了思维定势的影响。
现在思路打开了，许秋瞬间发散思维，想到了很多点子：
比如，除了三氧化钼的膜厚优化外，氧化锌的制备条件也可以摸索一番，包括膜厚、退火温度、退火时间以及其他制备工艺。
再比如，可以试一试正结构的器件，虽然大多数情况倒结构的性能更佳，而且许秋经过长期的实验也已经习惯采用倒结构器件，制备起来更加得心应手一些，但不排除有例外出现的可能性。
此外，还有其他科研工作者开发出的一些新型传输层材料，比如PFN、PDIN，已经商用化了，而且也不贵，可以找深城那家光电材料公司购买一些。
金属电极的膜厚倒是不用优化，因为只要膜厚超过一定阈值，确保器件不发生断路，具体厚度并不重要，哪怕蒸镀到1000纳米厚，和100纳米厚也没什么差别，反而可能因为电阻增大了10倍，导致效率降低了0.01也不是没可能。
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