第478章 真假1微米(1)(2/2)

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的是看风险。  

“这个技术是有的。这也是为什么这个工程被叫做一号工程的缘故。它的保密级别甚至高于液晶的odf工艺。”  

“好吧,你说吧。我们准备好了。”  

这已经不是第一次了,成永兴召集两人商量一些高度机密性的科技信息。  

经过s,led,以及lcd的不断洗礼,两个人对晶圆工艺已经不陌生了。  

在后世,人们一提起半导体设备,被津津乐道的,就是光刻机。大家普遍认为,光刻机是中国在半导体工艺上落后的唯一瓶颈。  

这句话对,也不对。  

对,是因为,中国在半导体工艺领域,被甩得最远的代表设备就是光刻机。  

其他设备,例如蚀刻设备等,它们与国际先进水平,即使有些差距,差距也没有这么大,甚至某些设备,国产设备已经开始反攻国际市场。  

光刻机决定半导体制程的情况,仅仅是出现在2005年之后。这就是地球人都知道的,asl的天王山之战。  

asl在浸入式光刻机上,打了场翻身仗,一举把日本的几家竞争对手掀翻在地,从而奠定了在光刻机市场的垄断地位。  

但实际上,在2005年的前后,决定半导体芯片制程的几个核心技术,都不是光刻机。因为此时,光波的波长,还没有撞到极限(193n)  

中国已经有了15微米的光刻机,但是其他辅助工艺,达不到这么高的精度。  

几十年来,对光刻设备的要求主要基于摩尔定律,通过减小波长和增大数值孔径(na)来获得更高分辨率。  

但是激光的可用波长就那么几个,激光波长减少几次,就无以为继了。  

2004年开始,光刻机就开始使用193n波长的duv激光,谁也没想到,光刻光源被卡在193n无法进步长达十几年。  

哪怕采用了沉浸式光刻机,也仅仅是使晶圆工艺成功突破了几个节点。  

过了一段时间,半导体工艺的工艺演进路线,再次遇到了类似的问题。后世的14n,10n,的技术突破。都不是通过升级光刻机来实现的。  

在光刻机无法升级的情况下,为了突破这个障碍,人们开始寻找别的突围方向。

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