第8节 芯片准备(2/2)

的）

再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度（如约微米）的二氧化硅层，作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。

接着，光刻出ns晶体管的p阱区和ps晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。

在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成ns晶体管的p阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。

如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成ns晶体管的源、漏区；

在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造ns和ps栅氧化区的的掩蔽层；

光刻出ns和ps晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”